這么多年來(lái)，嵌入式的發(fā)展已經(jīng)從無(wú)人問(wèn)津到無(wú)人不曉了，這么多年來(lái)嵌入式的發(fā)展是不斷的創(chuàng)新高的。小到我們生活中的小物品，大到現(xiàn)在的航空母艦，嵌入式現(xiàn)在不管是可以運(yùn)用到很多的行業(yè)中的，那么在用嵌入式開發(fā)的時(shí)候有什么樣的觀念是錯(cuò)誤的呢?下面達(dá)內(nèi)科技的小編就給大家指出兩點(diǎn)：
一、差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存
多年來(lái)，大多數(shù)IDM都在為需要嵌入式閃存的應(yīng)用使用類似的1T多晶硅浮柵堆疊解決方案。在過(guò)去二十年間，創(chuàng)新型分離柵極SuperFlash?技術(shù)憑借其差異化且高效的多晶硅間擦除和源極注入編程存儲(chǔ)單元，不斷推動(dòng)行業(yè)向前發(fā)展。
二、嵌入式閃存解決方案可以節(jié)省時(shí)間和金錢
大多數(shù)時(shí)候都是一分價(jià)錢一分貨。從表面上來(lái)看，與基于電荷陷阱的解決方案(如SONOS)相比，多晶硅浮柵嵌入式閃存解決方案似乎更為昂貴，這是因?yàn)榕c基于電荷陷阱的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器解決方案相比，多晶硅浮柵嵌入式閃存通常需要更多的屏蔽步驟。然而，芯片設(shè)計(jì)人員應(yīng)該仔細(xì)考慮非易失性解決方案的總成本，包括潛在的產(chǎn)量損失、由于現(xiàn)場(chǎng)返貨造成的損耗、長(zhǎng)期數(shù)據(jù)保留、包括ECC和所需冗余電路在內(nèi)的總芯片尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間。此外，基于電荷陷阱的解決方案不適用于高溫和高耐用性應(yīng)用，因此如果非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)需要滿足一系列低端和高端應(yīng)用的需求，則更需要可滿足所有應(yīng)用需求的非易失性存儲(chǔ)器解決方案，這些應(yīng)用對(duì)電壓、工作溫度，數(shù)據(jù)保留和耐用性的要求有所不同。為一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用多個(gè)非易失性平臺(tái)比應(yīng)用可靠的基于多晶硅浮柵的非易失性存儲(chǔ)器解決方案要貴得多。
這兩點(diǎn)嵌入式開發(fā)的錯(cuò)誤觀念雖然說(shuō)不上是非常致命的錯(cuò)誤，但是如果說(shuō)活可以避免的話那么在開發(fā)的時(shí)候肯定可以更加的順利了。如果說(shuō)你想要學(xué)習(xí)嵌入式技術(shù)的話，那么你可以點(diǎn)擊我們文章下面的獲取試聽(tīng)資格按鈕來(lái)獲取下我們的嵌入式課程免費(fèi)試聽(tīng)資格，在試聽(tīng)中可以了解下我們嵌入式的課程，也可以和我們的講師進(jìn)行面對(duì)面的交流和互動(dòng)，在了解了我們達(dá)內(nèi)科技之后相信你會(huì)有興趣加入我們的嵌入式培訓(xùn)班的。
